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MXO 5C系列也有四通道和八通道型号，带宽范围包括100 MHz、200 MHz、350 MHz、500 MHz、1 GHz 和 2 GHz 型号。对于有严苛应用需求的用户，还可提供各种升级选件，如带有混合信号示波器（MSO）选件的 16 个数字通道、集成式双通道 100 MHz 任意波形发生器、用于行业标准总线的协议解码和触发选件以及频率响应分析仪，以增强仪器的功能。
ti英飞凌通过将Qt图形解决方案直接集成到这些MCU中，进一步优化了这些器件并实现了智能渲染技术，其优点包括：
　　 内存利用效率较市场平均水平提高多达5倍。
　　 启动时间较市场平均水平加快多达2倍。
　　 产品从设计到生产的上市时间缩短多达50%。
　　在应用模式下，HAL/HAR 3936 在测量磁铁的 360°角度范围、线性运动和抗杂散场 3D 位置信息方面表现出色。杂散场 稳健型 3D 模式，加上读取外部信号的潜能，让转向柱开关检测获得前所未有的稳健性。利用霍尔技术，该传感器可有效抑制外部杂散磁场，确保在任何情况下都能进行准确测量。

　　OSCONIQ P3737可用于温室顶部照明、植物花卉的垄间照明、单一光源照明以及垂直农业应用，提供五种颜色选项：深红光（660nm）、红光（640nm）、深蓝光（450nm）、远红光（730nm）和植物白光，满足人工照明植物工厂的各类需求。
　　LC-UMC-14XX系列激光芯片由立芯光电自主设计与生产，波长公差范围控制小于10nm，优于业内20nm公差的平均控制水平。
ti　　ANDREA BRICCONI | CGD 商务官：“人工智能的爆炸性增长导致能源消耗的显著增加，促使数据中心系统设计师优先考虑将 GaN 用于高功率、高效的功率解决方案。CGD这一新系列 GaN 功率 IC 支持我们的客户和合作伙伴在数据中心实现超过100 kW/机架的功率密度，满足高密度计算的 TDP（热设计功率）趋势的要求。
可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封装，体积缩小60%，以及改进了电磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFET
　　TDK株式会社（TSE：6762）扩大了其汽车用CGA系列100V积层陶瓷贴片电容器（MLCC）产品阵容，2012规格（2.0 x 1.25 x 1.25 毫米-长x宽x厚）的电容为22μF，3216规格（3.2 x 1.6 x 1.6 毫米-长x宽x厚）的电容为47μF，新产品具有业内电容*。该系列产品于2024年3月开始量产。

为满足日益增长的市场需求，纳芯微集成式电流传感器NSM2311采用先进的集成技术和设计，不仅解决了传统开环电流传感器模组的缺点，还在性能和功能上进行了全面升级。
ti　　随着工业设备的高功能化，配备的电子元件数量也在不断增加，因此，传感器封装需要实现小型化。此外，由于工业设备的自动化程度不断提高，获取动态姿态角和自身位置的需求也在不断增加。
针对IP数据/安全问题，MAX32690提供一个加密工具箱 (CTB)，其中包含用于快速椭圆曲线数字签名算法 (ECDSA) 的模块化算术加速器 (MAA)、加密标准 (AES) 引擎、TRNG、SHA-256哈希和安全引导加载程序。另外还包含两个四通道SPI片内执行（SPIXF和SPIXR）接口（每个接口的容量高达512MB），用于在片外扩展内部代码和SRAM空间。
　　TXGA Micro Match连接器，触点采用弹性结构设计，间距仅1.27mm。产品外形小巧，使用便捷，同时具备出色的抗振动耐摩擦性能，可为工业现场的信号传输提供可靠支持。