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　　AT32A423系列搭载ARMCortex-M4内核，主频高达150MHz，内建单精度浮点运算FPU，带MPU和DSP指令集，提高数据处理效率；高达256KB Flash和48KB SRAM，提供多容量存储空间，便于添加开发新功能，成为新能源车用电子产品中优化设备的理想选择，广泛用于行车记录仪、车用影音、ADAS辅助驾驶、360全景、汽车中控、脚踢尾门控制、充电桩等各式车用场景。
altera　　MSD4100WA内部集成的16bits高精度ADC，用于将硅基线性霍尔的模拟信号转成数字信号；H桥恒流驱动模块可以提供±170mA的电流驱动能力；高精度的PID算法搭配美新自有的陀螺相关算法，可以提供压制比优于-35dB的拍照防抖效果。
　　在移动电子产品中，大多使用锂电池供电，因此充电方案必不可少，在使用充电接口充电时，势必会遇到浪涌或过电压等情况，OCP9225AH为此而设计。利用独特的电路设计，可使输入端能够抵抗100V的surge电压，并且具有DC过电压保护。

当与20CFM的强制空气一起使用时，CCP550系列提供完整的 550W输出，在其小巧的外壳（37.5毫米[1.48英寸]）、127.0毫米×76.2毫米5[英寸×3英寸]的空间内确保出色的功率密度水平。
NVMe NANDrive EX系列具有卓越的数据保持能力和7.5万、15万或40万擦写次数（P/E）的超高耐久性（可达17,800 TBW（TeraBytes Written））。该产品系列目前有20 GB、40 GB、80 GB和160 GB多种容量供客户选择。为了支持长寿命应用的客户，NVMe NANDrive EX 系列固态硬盘也包含在绿芯长期支持 (LTA) 方案中 (https://bit.ly/SSD-LTA-program)。
altera　　纳微半导体发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，基于CRPS185外形尺寸，其采用了额定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC级的GaNSafe?氮化镓功率芯片一起，让这款电源实现了138 W/inch的功率密度和超过97%的峰值效率，轻松达到欧盟目前强制执行的“钛金+”效率标准。
　　OCH1970VAD-H设计了虚通道可配置磁传感器架构，实时修调静态输出电压、带隙基准、灵敏度热敏偏移、内部偏置点、输出钳位电压等性能参数，为芯片灵活的失调消除和精度匹配奠定基础。
这些二极管解决了要求高电压和高电流的应用的挑战，包括开关电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、电机驱动器、不间断电源以及用于可持续能源生产的光伏逆变器。

　　凭借在芯片封装领域丰富的技术经验，三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封装，使移动设备内有多余的空间，促进空气流动。散热控制能力因此得到提升，这一属性对于像端侧人工智能类具有复杂功能的高性能应用尤为关键。
alteraAMD Embedded+，这一全新的架构解决方案将 AMD Ryzen（锐龙）嵌入式处理器和 AMD Versal 自适应 SoC 结合到单块集成板卡上，从而提供了可扩展且高能效的解决方案，为原始设计制造商（ ODM ）合作伙伴加速产品上市进程。
　　此款 IC 对称升压 USB D+ 与 D- 通道，实现共模(Common-Mode)稳定性，并以预加重(Pre-emphasis)方式补偿码间串扰 (ISI)。宽广的供电电压范围可简化系统设计，并延长便携式与电池供电设备的工作窗口。
垂直表面贴装SM10系列压敏电阻能使电子设计人员实现符合‘仅限SMT元件原则’的初级侧电路浪涌保护。 该产品尺寸紧凑，能取代通孔器件，实现全自动和SMT PCB组装工艺。