onsemi

aitemeier发布

其采用第八代BiCS FLASHTM 3D闪存技术的2Tb四级单元 (QLC) 存储器已开始送样(1)。这款2Tb QLC存储器拥有业界容量(),将存储器容量提升到一个全新的水平,将推动包括人工智能在内的多个应用领域的增长。
onsemi  新协议分析解决方案的领先供应商Prodigy Technovations今日宣布推出其PGY-PCIeGen5-PA,即PCIe Gen5协议分析仪。 这种先进的解决方案使工程师能够以高达32GT/s的速度无缝捕获、解码和分析PCIe Gen5流量,从而加快高速PCIe接口的开发和验证。
UltraScale+系列较上一代产品,将逻辑单元提升至21.8万个、I/O逻辑单元比降至2、总片内存提升至26.79MB,制程从28nm演进为16nm。以上指标的改善,使该产品在连接性和能效上有所提升。由于降低了30%的总功耗、60%的接口连接功耗,并缩小了封装尺寸,该产品具备更好的成本优势。
onsemi
  具体而言,SemiQ推出的GP3D050B170X(裸片)和GP3D050B170B(TO-247-2L封装)分立二极管,在正向电流方面分别达到了110A和151A。其设计支持简单的并联配置,为电源应用提供了更高的灵活性和可扩展性。
  同时,GHXS050B170S-D3和GHXS100B170S-D3双二极管模块,采用SOT-227封装,每个组件的正向电流分别为110A和214A,能够满足更高功率输出的需求。
TXGA JL23印制电路连接器,触点镀金0.1μm。插孔采用双曲面线簧结构,公母头对插后,插针与插孔形成多个接触点,可在各类严苛环境下为设备实现稳定可靠的信号传输。
onsemi  随着汽车智能化的发展,车内系统越来越依赖于对周围环境的判断做出决策。为了实现实时控制和自主操作,这些系统需要借助能够快速响应的高精度传感器产品来捕捉必要信息。
RECOM 全新推出新一代极具性价比的高性能 “K” 系列引脚式 DC/DC 转换器,这些产品性能更强大,额定功率达 30 W,具有宽输入电压范围,采用 1” x 1” 微型封装,高度仅 0.4英寸 (25.4 x 25.4 x 10.2 mm)。
GenAI将从三个方面推动转型:功能上的重新构想、开创新的工作方式和智能自动化。利用GenAI推动业务转型是我们战略的核心。随着人工智能的可靠性和信任度不断提高,我们预计将有更多人工智能驱动的自主业务流程得到协调。Navisource.AI将简化间接采购流程,带来可预测性,并释放大量用于人工活动的时间,从而使采购职能部门能够更加专注于战略举措
onsemi
推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块—VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造,为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
onsemi  为了加快产品上市,这款即插即用的解决方案已经完成了栅极驱动器电路设计、测试和验证等复杂的开发工作。XIFM 数字栅极驱动器是一种结构紧凑的解决方案,具备数字控制、集成电源和可提高抗噪能力的坚固光纤接口。该栅极驱动器具有预配置的“开/关”栅极驱动曲线,可量身定制以优化模块性能。
PXI 40-121模块采用多路MS-M连接器,所有52个引脚(SPST开关)分布在两个连接器之间,大大加快了连接和断开的速度。40/42-590和65-290系列采用带绝缘盖的MMCX微型同轴连接器,提供紧凑的单端口,降低布线复杂性,从而达成使用loop-thru来简易地拓展矩阵规模的目的。
CGD 今日推出采用新颖的芯片和封装设计的、超低导通电阻(RDS(on)) ICeGaNGaN 功率 IC ,将 GaN 的优势提供给数据中心、逆变器、电机驱动器和其他工业电源等高功率应用。新型 ICeGaN P2系列 IC RDS(on)低至25 mΩ,支持多kW功率应用,并提供超高效率。

分类: 爱特梅尔芯片